Jak je flash paměť?

Slova "flash paměť" jsou nyní na rtech každého. Dokonce i první grafici často používají pojem "flash disk" v konverzaci. Tato technologie s neuvěřitelnou rychlostí získala popularitu. Navíc mnozí analytici předpovídají, že v blízké budoucnosti flash paměti nahradí zařízení pro ukládání dat na bázi magnetických disků. Zůstává jen sledovat pokrok a využívat jeho výhod. Překvapivě mnoho, mluví o tomto novém produktu, skoro neví, že takové flash paměti. Na jedné straně je třeba, aby uživatel přístroj pracoval, a jak plní své funkce - drobné záležitosti. Nicméně, mít alespoň obecnou představu je nutná pro všechny vzdělané osoby.

Co je flash paměť?

Jak je známo, v počítačích existuje několik typů paměťových zařízení: paměťové moduly, pevné disky a optické disky. Poslední dvě jsou elektromechanická řešení. Ale RAM je zcela elektronické zařízení. Jedná se o soubor tranzistorů, sestavených na čipu speciálního mikroobvodu. Jeho zvláštnost spočívá v tom, že data jsou uložena tak dlouho, jak je napětí na elektrodě základny v každém řízeném klíči. Tento bod budeme brát v úvahu podrobněji později. Flash paměti tohoto nedostatek je zbaven. Problém ukládání náboje bez použití externího napětí byl řešen pomocí tranzistorů s plovoucí branou. Při nepřítomnosti vnějšího vlivu může být náboj v takovém zařízení udržován po dostatečně dlouhou dobu (nejméně 10 let). Abychom vysvětlili princip práce, je třeba si uvědomit základy elektroniky.

Jak je uspořádán tranzistor?

Tyto prvky se tak široce používají, že jen zřídka, kde nejsou používány. Dokonce i v banální spínač světel někdy nastavené řízené klíče. Jak je uspořádán klasický tranzistor? Je založen na dvou polovodičového materiálu, z nichž jeden má elektronovou vodivost (n), a druhý otvor (p). Pro získání jednoduchého tranzistor, je třeba kombinovat materiály, jako je například n-p-n v každém bloku a pro připojení elektrody. Na jednu koncovou elektrodu je aplikováno jedno napětí (emitor). Může být řízen změnou hodnoty potenciálu na středním výstupu (základ). Odstranění se provádí u kolektoru - třetího extrémního kontaktu. Je zřejmé, že se zmizením základního napětí vrátí do neutrálního stavu. Ale tranzistor zařízení s plovoucí brány podkladové fleshek poněkud odlišné: přední straně polovodičového základního materiálu je umístěna tenká vrstva dielektrika a plovoucí bránu - dohromady tvoří tak zvaný „kapsy“. Při aplikaci plus napětí na bázi tranzistoru, které mají být otevřeny průchodem proudu, který odpovídá logické nuly. Ale pokud dáte jeden náboj (elektron), pak jeho pole neutralizuje účinek základního potenciálu - zařízení odmítne být uzavřeno (logická jednotka). Měřením napětí mezi vysílačem a kolektorem je možné určit přítomnost (nebo nepřítomnost) náboje na plovoucí bráně. Nabíjení je umístěno na závěrku pomocí tunelový efekt (Fowler - Nordheim). Chcete-li odstranit náboj, je nutné kladné napětí (9 V) záporné a záporné napětí na emitor. Nabíjení opustí závěrku. Vzhledem k tomu, že se technologie neustále vyvíjí, bylo navrženo kombinovat konvenční tranzistor a volbu plovoucí brány. To umožnilo "utřít" nabíjení s nižším napětím a vytvořit kompaktnější zařízení (není třeba izolovat). USB flash paměť používá tento princip (struktura NAND).

Tak, kombinací takových tranzistorů do bloků, bylo možné vytvořit paměť, ve které jsou teoreticky uložená data uložena bez změny desetiletí. Snad jedinou nevýhodou moderních jednotek flash je omezení počtu přepisovacích cyklů.